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    研究已表明，动物暴露在电磁场可能会干扰脑细胞的活性，从而产生行为和认知障碍。可是，导致该研究结果的潜在机制和可能的预防措施仍然未知。在这项研究中，采用小鼠模型来研究极低频率（50 Hz）电磁场（ELF MFs）暴露对识别记忆功能和海马神经元形态变化的影响。数据表明，暴露于电磁场（ELF MFs）（1 mT，12小时/天）在新物体联想识别记忆可诱导时间依赖性缺陷，同时也可降低海马树突棘的密度。这种效应在自发活动发生中没有观察到相应的变化，或者这种效应是短暂的，仅在小鼠暴露于ELF MFs 7~10天后可观察到。海马神经突蛋白（一种活性依赖性神经营养因子）利用相关腺病毒（AAV）载体过表达，显著增加神经突蛋白水平和树突棘密度。这种增加与电磁场（ELF MFs）暴露诱导的识别记忆缺陷和树突棘密度降低是相关的。总之，这项研究为电磁场（ELF MFs）暴露和识别记忆障碍、海马树突棘密度变化之间的关系提供了证据，神经突蛋白通过增加海马棘密度而阻止电磁场（ELF MFs）暴露的诱导作用。

文章来自：《Nature》，全文链接：http://www.nature.com/srep/2015/150703/srep11768/full/srep11768.html?WT.ec_id=ZH-CN-SREP-20150714

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