神经突蛋白可逆转小鼠暴露于极低频率电磁场(50 Hz)后引起的对新物体联想识别记忆的缺失

来源:中国实验动物信息网 发布时间:2015年07月17日 浏览次数: 【字体: 收藏 打印文章

    研究已表明,动物暴露在电磁场可能会干扰脑细胞的活性,从而产生行为和认知障碍。可是,导致该研究结果的潜在机制和可能的预防措施仍然未知。在这项研究中,采用小鼠模型来研究极低频率(50 Hz)电磁场(ELF MFs)暴露对识别记忆功能和海马神经元形态变化的影响。数据表明,暴露于电磁场(ELF MFs)(1 mT,12小时/天)在新物体联想识别记忆可诱导时间依赖性缺陷,同时也可降低海马树突棘的密度。这种效应在自发活动发生中没有观察到相应的变化,或者这种效应是短暂的,仅在小鼠暴露于ELF MFs 7~10天后可观察到。海马神经突蛋白(一种活性依赖性神经营养因子)利用相关腺病毒(AAV)载体过表达,显著增加神经突蛋白水平和树突棘密度。这种增加与电磁场(ELF MFs)暴露诱导的识别记忆缺陷和树突棘密度降低是相关的。总之,这项研究为电磁场(ELF MFs)暴露和识别记忆障碍、海马树突棘密度变化之间的关系提供了证据,神经突蛋白通过增加海马棘密度而阻止电磁场(ELF MFs)暴露的诱导作用。

 

文章来自:《Nature》,全文链接:http://www.nature.com/srep/2015/150703/srep11768/full/srep11768.html?WT.ec_id=ZH-CN-SREP-20150714

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